成都某半导体科技公司，正处于产品验证与性能优化阶段。该公司此前采用“普通直流电源+台式万用表+手动记录”的组合方案进行器件特性测试。

测试问题

低电平测量精度不足：普通万用表无法准确测量GaN器件nA级的关态漏电流和μA级的栅极泄漏电流，导致器件可靠性评估存在盲区

自热效应严重影响结果：直流测试模式下器件结温快速升高，导通电阻测试结果偏差超过15%，无法反映器件真实工作特性

测试效率极低：IV特性曲线测试需手动调节电源电压并记录数据，单器件完整IV测试耗时超过2小时，无法满足批量样品测试需求

引线电阻干扰无法消除：两线测量模式下，测试线和接触电阻（约10-50mΩ）严重影响mΩ级导通电阻的测量准确性

缺乏同步源测能力：无法实现电压源输出与电流测量的精确同步，动态特性测试数据失真

成都源表租赁解决方案

针对上述难点，该公司选择了租赁模式，租赁了Keysight B2912B双通道精密源/测量单元(SMU)。该仪器是B2900B/BL系列的高端型号，完美匹配GaN功率器件的全参数测试需求。

仪器核心性能亮点及实际应用效果

1.超高精度源测一体化

电压输出/测量范围：100mV~40V，分辨率100nV，基本精度±0.025%。

电流输出/测量范围：10nA~1.5A（双通道）/10A（单通道脉冲），分辨率1fA，基本精度±0.035%。

双通道独立工作，可同时施加栅极电压并测量漏极电流，或并行测试两个器件。

应用效果：准确测量GaN器件10nA级的关态漏电流，成功区分不同外延片批次的漏电差异，实现1mΩ~10kΩ宽范围电阻测量，覆盖导通电阻、绝缘电阻等所有电阻类参数，单台仪器完成全部测试，无需多台设备切换，减少系统误差。

2.脉冲输出模式，消除自热效应

支持脉冲输出模式，脉冲宽度范围50μs~100s，分辨率1μs，脉冲占空比0.001%~100%可调，最小脉冲周期100μs，脉冲沿上升/下降时间<1μs，保证输出波形无畸变。

应用效果：采用1ms脉冲宽度进行导通电阻测试，器件结温升高<1℃，测试误差大幅降低；脉冲模式下完成击穿电压测试，避免器件因长时间高压导致的损坏，测试良品率有效提升；支持脉冲IV扫描，获得器件在真实工作温度下的特性曲线。

3.4线开尔文测量，消除引线电阻干扰

内置远程传感功能（:SENSe:REMote命令），支持4线开尔文连接，自动补偿测试线和接触电阻，最低可测量100μΩ的电阻值。

应用效果：准确测量GaN器件2~5mΩ的导通电阻，测试重复性误差<0.2%，无需手动校准测试线电阻，简化测试流程，提高测试一致性。

4.高速自动扫描，大幅提升测试效率

支持线性/对数/列表三种扫描模式，最大扫描点数100000点，内置自动量程功能，扫描过程中自动切换最优量程，保证全范围测量精度，单步测量时间最短8μs，最快1000点/秒的扫描速度。

应用效果：单器件完整IV特性曲线测试（1000点）从2小时缩短至5分钟，效率提升24倍；自动完成从亚阈值区到击穿区的全范围扫描，无需人工干预；支持双路同步扫描，同时获得转移特性和输出特性曲线。

5.自动化编程与数据处理，实现批量测试

支持LXI、USB、GPIB多种通信接口，兼容标准SCPI命令集。内置100KB程序存储器，可存储自定义测试流程。支持统计计算功能（均值、标准差、峰峰值等），自动生成测试报告。

6.高电容模式，适配GaN器件栅极测试

内置高电容模式（:OUTPut:HCAPacitance命令），可驱动高达100μF的容性负载。输出过冲<1%，振荡抑制能力强。

应用效果：稳定驱动GaN器件的大栅极电容（~10nF），栅极电压输出无过冲和振荡，准确测量栅极电荷、输入电容等动态参数，为驱动电路设计提供可靠数据。

客户评价

“B2912B的高精度和脉冲测试功能完美解决了GaN器件测试的核心问题，尤其是自热效应导致的导通电阻测试误差问题。源表租赁模式非常灵活，既满足了短期的研发需求，又避免了大额固定资产投资。”

如果您有相关需求，欢迎联系我们。我们的专业团队将为您提供从仪器选型、方案设计到技术支持的一站式解决方案。18682985902（同微信）